AGGS(AgGaGeS4) क्रिस्टल

AgGaGeS4 क्रिस्टल तेजी से विकसित नए नॉनलाइनियर क्रिस्टल के बीच बेहद जबरदस्त क्षमता वाले ठोस समाधान क्रिस्टल में से एक है।इसमें एक उच्च नॉनलाइनियर ऑप्टिकल गुणांक (d31=15pm/V), एक विस्तृत ट्रांसमिशन रेंज (0.5-11.5um) और कम अवशोषण गुणांक (1064nm पर 0.05cm-1) प्राप्त होता है।


  • तरंगाग्र विरूपण:λ/6 @ 633 एनएम से कम
  • आयाम सहिष्णुता:(डब्ल्यू +/-0.1 मिमी) x (एच +/-0.1 मिमी) x (एल +0.2 मिमी/-0.1 मिमी)
  • साफ़ एपर्चर:> 90% केन्द्रीय क्षेत्र
  • समतलता:λ/6 @ 633 एनएम T>=1.0 मिमी के लिए
  • सतही गुणवत्ता:स्क्रैच/खुदाई 20/10 प्रति MIL-O-13830A
  • समांतरता:1 आर्क मिनट से बेहतर
  • लंबवतता:5 चाप मिनट
  • कोण सहनशीलता:Δθ<+/-0.25o, Δφ<+/-0.25o
  • वास्तु की बारीकी

    तकनीकी मापदंड

    जाँच रिपोर्ट

    AgGaGeS4 क्रिस्टल तेजी से विकसित नए नॉनलाइनियर क्रिस्टल के बीच बेहद जबरदस्त क्षमता वाले ठोस समाधान क्रिस्टल में से एक है।इसमें एक उच्च नॉनलाइनियर ऑप्टिकल गुणांक (d31=15pm/V), एक विस्तृत ट्रांसमिशन रेंज (0.5-11.5um) और कम अवशोषण गुणांक (1064nm पर 0.05cm-1) प्राप्त होता है।इस तरह के उत्कृष्ट गुण निकट-अवरक्त 1.064um Nd:YAG लेजर को 4-11um की मध्य-अवरक्त तरंगदैर्घ्य में आवृत्ति-स्थानांतरण के लिए अत्यधिक लाभकारी होते हैं।इसके अलावा, लेजर क्षति सीमा और चरण-मिलान स्थितियों की सीमा पर इसका प्रदर्शन इसके मूल क्रिस्टल से बेहतर है, जो उच्च लेजर क्षति सीमा द्वारा प्रदर्शित होता है, जो इसे निरंतर और उच्च-शक्ति आवृत्ति रूपांतरण के साथ संगत बनाता है।
    इसकी उच्च क्षति सीमा और चरण-मिलान योजनाओं की अधिक विविधता के कारण AgGaGeS4 उच्च शक्ति और विशिष्ट अनुप्रयोगों में व्यापक रूप से फैले AgGaS2 का विकल्प बन सकता है।
    AgGaGeS4 क्रिस्टल के गुण:
    सतह क्षति सीमा: 1.08J/cm2
    शारीरिक क्षति सीमा: 1.39J/cm2

    तकनीकीपैरामीटर

    तरंगाग्र विकृति λ/6 @ 633 एनएम से कम
    आयाम सहिष्णुता (डब्ल्यू +/-0.1 मिमी) x (एच +/-0.1 मिमी) x (एल +0.2 मिमी/-0.1 मिमी)
    साफ़ एपर्चर > 90% केन्द्रीय क्षेत्र
    समतलता λ/6 @ 633 एनएम T>=1.0 मिमी के लिए
    सतही गुणवत्ता स्क्रैच/खुदाई 20/10 प्रति MIL-O-13830A
    समानता 1 आर्क मिनट से बेहतर
    खड़ापन 5 चाप मिनट
    कोण सहनशीलता Δθ <+/-0.25o, Δφ < +/-0.25o

    20210122163152

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