कम क्षीणन हानि प्रभाव के साथ 60% से अधिक दक्षता वाला एनडी: YAG पारदर्शी सिरेमिक लेजर


यहां, क्षीणन हानि प्रभाव और एनडी: वाईएजी पारदर्शी सिरेमिक के लेजर प्रदर्शन में वृद्धि की जांच की गई।0.6 at.% Nd:YAG सिरेमिक रॉड का उपयोग 3 मिमी व्यास और 65 मिमी लंबाई के साथ,1064 एनएम पर प्रकीर्णन गुणांक और अवशोषण गुणांक क्रमशः 0.0001 सेमी-1 और 0.0017 सेमी-1 मापा गया।808 एनएम साइड-पंप लेजर प्रयोग के लिए, 26.4% की ऑप्टिकल-टू-ऑप्टिकल रूपांतरण दक्षता के साथ 44.9 डब्ल्यू की औसत आउटपुट पावर हासिल की गई, जो 1 एट.% सिंगल क्रिस्टल के लगभग समान थी।885 एनएम प्रत्यक्ष अंत-पंप योजना को अपनाते हुए, निम्नलिखित लेजर परीक्षणों ने 62.5% की उच्च ऑप्टिकल दक्षता प्रदर्शित की और 231.5 डब्ल्यू की अवशोषित पंप शक्ति पर 144.8 डब्ल्यू की अधिकतम आउटपुट पावर प्राप्त की गई। यह अब तक हासिल की गई उच्चतम ऑप्टिकल रूपांतरण दक्षता थी एनडी में: हमारी जानकारी के अनुसार YAG सिरेमिक लेजर।यह साबित करता है कि उच्च शक्ति और उच्च दक्षता वाले लेजर आउटपुट को 885 एनएम प्रत्यक्ष पंपिंग तकनीक के साथ उच्च ऑप्टिकल गुणवत्ता एनडी: वाईएजी सिरेमिक रॉड द्वारा उत्पन्न किया जा सकता है।

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BaGa4Se7 क्रिस्टल में एक ऑप्टिकल पैरामीट्रिक ऑसिलेटर से उच्च पल्स ऊर्जा, संकीर्ण लाइनविड्थ 6.45 µm


यह पेपर 1.064 µm लेज़र द्वारा पंप किए गए BaGa4Se7 (BGSe) क्रिस्टल ऑप्टिकल पैरामीट्रिक ऑसिलेटर (OPO) पर आधारित एक उच्च पल्स ऊर्जा, संकीर्ण लाइनविड्थ, 6.45 µm के मध्य-अवरक्त (MIR) लेज़र प्रस्तुत करता है।6.45 µm पर अधिकतम पल्स ऊर्जा 1.23 mJ तक थी, पल्स चौड़ाई 24.3 ns और पुनरावृत्ति दर 10 हर्ट्ज के साथ, 2.1% की ऑप्टिकल-ऑप्टिकल रूपांतरण दक्षता के अनुरूप, पंप लाइट 1.064 µm से आइडलर लाइट 6.45 µm तक।आइडलर लाइट लाइनविड्थ लगभग 6.8 एनएम था। इस बीच, हमने 1.064 µm लेजर द्वारा पंप किए गए BGSe क्रिस्टल पर ओपीओ चरण-मिलान स्थिति की सटीक गणना की, और 6.45 µm पर इनपुट-आउटपुट विशेषताओं का विश्लेषण करने के लिए एक संख्यात्मक सिमुलेशन प्रणाली का प्रदर्शन किया गया, साथ ही साथ रूपांतरण दक्षता पर क्रिस्टल की लंबाई का प्रभाव।माप और अनुकरण के बीच अच्छा सामंजस्य पाया गया।हमारी सर्वोत्तम जानकारी के अनुसार, यह 6.45 µm पर उच्चतम पल्स ऊर्जा है, सरल 1.064 µm ऑसिलेटर द्वारा पंप किए गए BGSe-OPO में किसी भी ऑल-सॉलिड-स्टेट एमआईआर एनएस लेजर के लिए सबसे कम लाइनविड्थ के साथ।उच्च पल्स ऊर्जा और संकीर्ण लाइनविड्थ के साथ यह सरल और कॉम्पैक्ट 6.45 माइक्रोन ओपीओ प्रणाली, ऊतक काटने की आवश्यकताओं को पूरा कर सकती है और ऊतक एब्लेशन सटीकता में सुधार कर सकती है।

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43 डब्ल्यू, 7 एनएस निरंतर पल्स अवधि, उच्च-पुनरावृत्ति-दर लैंगसाइट कैविटी-डंप हो: वाईएजी लेजर और मध्य-अवरक्त जेडजीपी ओपीओ में इसका अपिलेशन


इस पेपर में, हम एक लैंगसाइट (एलजीएस) इलेक्ट्रो-ऑप्टिक हो: वाईएजी कैविटी-डंप लेजर प्रदर्शित करते हैं जो क्यू-स्विच्ड लेजर में पल्स अवधि की लाभ निर्भरता को दबा देता है।100 किलोहर्ट्ज़ की पुनरावृत्ति दर पर 7.2 एनएस की निरंतर पल्स अवधि हासिल की गई थी।एलजीएस क्रिस्टल से लाभ उठाने से कोई महत्वपूर्ण रिवर्स पीजोइलेक्ट्रिक रिंग प्रभाव नहीं होता है और थर्मली प्रेरित विध्रुवण होता है, 43 डब्ल्यू की आउटपुट पावर पर एक स्थिर पल्स ट्रेन हासिल की गई थी। पहली बार, मध्य-अवरक्त (मध्य-) में कैविटी-डंप लेजर का अनुप्रयोग IR) ZnGeP2 (ZGP) ऑप्टिकल पैरामीट्रिक ऑसिलेटर (OPO) का एहसास हुआ है, जो उच्च-शक्ति मध्य-अवरक्त ZGP OPO के लिए उच्च पुनरावृत्ति दर और लघु नैनोसेकंड पल्स समय प्राप्त करने का एक विश्वसनीय तरीका प्रदान करता है।औसत आउटपुट पावर 15 डब्ल्यू थी, जो 4.9 एनएस की पल्स अवधि और 100 किलोहर्ट्ज़ की पुनरावृत्ति दर के अनुरूप थी।

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ब्रॉडबैंड, बीजीएसई क्रिस्टल के साथ इंट्रा-पल्स अंतर आवृत्ति पीढ़ी पर आधारित कुछ-चक्र मध्य-अवरक्त सातत्य


हम पहली बार BGSe नॉनलाइनियर क्रिस्टल का उपयोग करके ऑक्टेव-फैले हुए मध्य-अवरक्त की पीढ़ी का प्रदर्शन करते हैं।2.4 µm की केंद्रीय तरंग दैर्ध्य पर 28-fs पल्स प्रदान करने वाली एक Cr:ZnS लेजर प्रणाली का उपयोग पंप स्रोत के रूप में किया जाता है, जो BGSe क्रिस्टल के अंदर इंट्रा-पल्स अंतर आवृत्ति पीढ़ी को संचालित करता है।परिणामस्वरूप, 6 से 18 µm तक फैला एक सुसंगत ब्रॉडबैंड मध्य-अवरक्त सातत्य प्राप्त हुआ है।यह दर्शाता है कि बीजीएसई क्रिस्टल फेमटोसेकंड पंप स्रोतों के साथ आवृत्ति डाउन रूपांतरण के माध्यम से ब्रॉडबैंड, कुछ-चक्र मध्य-अवरक्त पीढ़ी के लिए एक आशाजनक सामग्री है।

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1.53 डब्लू ऑल-सॉलिड-स्टेट नैनोसेकंड स्पंदित मध्य-अवरक्त लेजर 6.45 µm पर

उच्च औसत आउटपुट पावर और निकट-गॉसियन बीम गुणवत्ता के साथ 6.45 माइक्रोन पर एक कॉम्पैक्ट और मजबूत ऑल-सॉलिड-स्टेट मिड-इन्फ्रारेड (एमआईआर) लेजर का प्रदर्शन किया गया है।ZnGeP2 (ZGP) ऑप्टिकल पैरामीट्रिक ऑसिलेटर (OPO) का उपयोग करके 10 kHz पर लगभग 42 ns की पल्स चौड़ाई के साथ 1.53 W की अधिकतम आउटपुट पावर प्राप्त की जाती है।यह हमारी सर्वोत्तम जानकारी के अनुसार किसी भी पूर्ण-ठोस-अवस्था लेजर की 6.45 µm की उच्चतम औसत शक्ति है।औसत बीम गुणवत्ता कारक M2 =1.19 मापा जाता है।इसके अलावा, उच्च आउटपुट पावर स्थिरता की पुष्टि की जाती है, जिसमें 2 घंटे से अधिक 1.35% आरएमएस से कम बिजली का उतार-चढ़ाव होता है, और लेजर कुल मिलाकर 500 घंटे से अधिक समय तक कुशलतापूर्वक चल सकता है।का उपयोग करते हुए
इस 6.45 µm पल्स को विकिरण स्रोत के रूप में, जानवरों के मस्तिष्क के ऊतकों के उच्छेदन का परीक्षण किया जाता है।इसके अलावा, हमारी सर्वोत्तम जानकारी के अनुसार, पहली बार संपार्श्विक क्षति प्रभाव का सैद्धांतिक रूप से विश्लेषण किया गया है, और परिणाम बताते हैं कि इस एमआईआर लेजर में उत्कृष्ट पृथक्करण क्षमता है, जो इसे मुक्त इलेक्ट्रॉन लेजर के लिए एक संभावित प्रतिस्थापन बनाती है।
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