HgGa2S4 क्रिस्टल

लेज़र क्षति सीमा और रूपांतरण दक्षता के उच्च मान मरकरी थियोगैलेट एचजीजीए का उपयोग करने की अनुमति देते हैं₂S₄(एचजीएस) आवृत्ति दोहरीकरण के लिए गैर-रैखिक क्रिस्टल और 1.0 से 10 µm तक तरंग दैर्ध्य रेंज में ओपीओ/ओपीए।यह स्थापित किया गया कि सीओ की एसएचजी दक्षता₂4 मिमी लंबाई HgGa के लिए लेजर विकिरण₂S₄तत्व लगभग 10% (पल्स अवधि 30 एनएस, विकिरण शक्ति घनत्व 60 मेगावाट/सेमी) है²).उच्च रूपांतरण दक्षता और विकिरण तरंग दैर्ध्य ट्यूनिंग की विस्तृत श्रृंखला यह उम्मीद करने की अनुमति देती है कि यह सामग्री AgGaS के साथ प्रतिस्पर्धा कर सकती है₂, AgGaSe₂, ZnGeP₂और बड़े आकार के क्रिस्टल विकास प्रक्रिया की काफी कठिनाई के बावजूद GaSe क्रिस्टल।
अनुप्रयोग:
• CO और CO2 - लेजर पर दूसरी पीढ़ी के हार्मोनिक्स
• मध्य अवरक्त क्षेत्रों के लिए अलग आवृत्ति जनरेटर।
• ऑप्टिकल पैरामीट्रिक ऑसिलेटर
• मध्य आईआर क्षेत्र में आवृत्ति मिश्रण