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टीएम: वाईएपी क्रिस्टल्स फीचर्ड छवि
  • टीएम: YAP क्रिस्टल

टीएम: YAP क्रिस्टल

टीएम डोप्ड क्रिस्टल कई आकर्षक विशेषताओं को अपनाते हैं जो उन्हें 2um के आसपास ट्यून करने योग्य उत्सर्जन तरंग दैर्ध्य के साथ ठोस-अवस्था वाले लेजर स्रोतों के लिए पसंद की सामग्री के रूप में नामांकित करते हैं।यह प्रदर्शित किया गया कि Tm:YAG लेजर को 1.91 से 2.15um तक ट्यून किया जा सकता है।इसी प्रकार, Tm:YAP लेजर 1.85 से 2.03 um तक ट्यूनिंग रेंज कर सकता है। Tm:doped क्रिस्टल की अर्ध-तीन स्तरीय प्रणाली के लिए उपयुक्त पंपिंग ज्यामिति और सक्रिय मीडिया से अच्छी गर्मी निष्कर्षण की आवश्यकता होती है।


  • अंतरिक्ष समूह:डी162एच (पीएनएमए)
  • जालक स्थिरांक(Å):ए=5.307,बी=7.355,सी=5.176
  • गलनांक(℃):1850±30
  • गलनांक(℃):0.11
  • तापीय विस्तार(10-6·क-1): 4.3//ए,10.8//बी,9.5//सी
  • घनत्व(जी/सेमी-3): 4.3//ए,10.8//बी,9.5//सी
  • अपवर्तक सूचकांक:1.943//ए,1.952//बी,1.929//सी 0.589 मिमी पर
  • कठोरता (मोह स्केल):8.5-9
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    वास्तु की बारीकी

    विनिर्देश

    टीएम डोप्ड क्रिस्टल कई आकर्षक विशेषताओं को अपनाते हैं जो उन्हें 2um के आसपास ट्यून करने योग्य उत्सर्जन तरंग दैर्ध्य के साथ ठोस-अवस्था वाले लेजर स्रोतों के लिए पसंद की सामग्री के रूप में नामांकित करते हैं।यह प्रदर्शित किया गया कि Tm:YAG लेजर को 1.91 से 2.15um तक ट्यून किया जा सकता है।इसी प्रकार, Tm:YAP लेजर 1.85 से 2.03 um तक ट्यूनिंग रेंज कर सकता है। Tm:डोप्ड क्रिस्टल की अर्ध-तीन स्तरीय प्रणाली के लिए उपयुक्त पंपिंग ज्यामिति और सक्रिय मीडिया से अच्छी गर्मी निष्कर्षण की आवश्यकता होती है। दूसरी ओर, Tm डोप्ड सामग्री को लाभ होता है लंबे प्रतिदीप्ति जीवन काल, जो उच्च-ऊर्जा क्यू-स्विच्ड ऑपरेशन के लिए आकर्षक है। इसके अलावा, पड़ोसी Tm3+ आयनों के साथ कुशल क्रॉस-रिलैक्सेशन एक अवशोषित पंप फोटॉन के लिए ऊपरी लेजर स्तर में दो उत्तेजना फोटॉन का उत्पादन करता है। यह लेजर को क्वांटम के साथ बहुत कुशल बनाता है दक्षता दो के करीब पहुंच जाती है और थर्मल लोडिंग कम हो जाती है।
    Tm:YAG और Tm:YAP ने मेडिकल लेजर, रडार और वायुमंडलीय सेंसिंग में अपना अनुप्रयोग पाया।
    टीएम:वाईएपी के गुण क्रिस्टल के अभिविन्यास पर निर्भर करते हैं। 'ए' या 'बी' अक्ष के साथ काटे गए क्रिस्टल का अधिकतर उपयोग किया जाता है।
    टीएम:वाईएपी क्रिस्टा के लाभ:
    Tm:YAG की तुलना में 2μm रेंज पर उच्च दक्षता
    रैखिक रूप से ध्रुवीकृत आउटपुट बीम
    Tm:YAG की तुलना में 4nm का व्यापक अवशोषण बैंड
    785nm पर Tm:YAG के सोखने के शिखर की तुलना में AlGaAs डायोड के साथ 795nm तक अधिक पहुंच योग्य

    मूल गुण:

    अंतरिक्ष समूह डी162एच (पीएनएमए)
    जालक स्थिरांक(Å) ए=5.307,बी=7.355,सी=5.176
    गलनांक(℃) 1850±30
    गलनांक(℃) 0.11
    तापीय विस्तार(10-6·क-1) 4.3//ए,10.8//बी,9.5//सी
    घनत्व(जी/सेमी-3) 4.3//ए,10.8//बी,9.5//सी
    अपवर्तक सूचकांक 1.943//ए,1.952//बी,1.929//बिल्ली 0.589 मिमी 
    कठोरता (मोह स्केल) 8.5-9

    विशेष विवरण：

    डोपेंट सहमति टीएम: 0.2~15at%
    अभिविन्यास 5° के भीतर
    “एवफ्रंट विकृति <0.125A/inch@632.8nm
    7od आकार व्यास 2~10मिमी, लंबाई 2~100मिमी Jpon ग्राहक का अनुरोध
    आयामी सहनशीलता व्यास +0.00/-0.05 मिमी, लंबाई: ± 0.5 मिमी
    बैरल खत्म पीसा हुआ या पॉलिश किया हुआ
    समानता ≤10″
    खड़ापन ≤5′
    समतलता ≤λ/8@632.8nm
    सतही गुणवत्ता L0-5(MIL-0-13830B)
    नाला 3.15 ±0.05 मिमी
    एआर कोटिंग परावर्तन <0.25%

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